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K4R571669D-FCM80

更新时间： 2024-11-29 14:51:47

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K4R571669D-FCM80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	92
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B92
长度：	15.1 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	92	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.08 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9.3 mm	Base Number Matches：	1

™

K4R571669D/K4R881869D

Direct RDRAM

256/288Mbit RDRAM^(D-die)

512K x 16/18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

July 2002

Version 1.4 July 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R571669D-FCM9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCS90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCT9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCT90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669E-GCK80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R571669E-GCM8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA84
K4R571669E-GCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84