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K4R571669D-FCT90

更新时间： 2024-11-30 06:03:23

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K4R571669D-FCT90 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	92
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B92	长度：	15.1 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	92
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.08 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9.3 mm

™

K4R571669D/K4R881869D

Direct RDRAM

256/288Mbit RDRAM^(D-die)

512K x 16/18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

July 2002

Version 1.4 July 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R571669E-GCK80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R571669E-GCM8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA84
K4R571669E-GCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R571669E-GCN1	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA84
K4R571669E-GCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R571669E-GCT9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA84
K4R571669E-GCT90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R761869A-F	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FBCCN1	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCM8	SAMSUNG	获取价格	576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM