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K4R571669D-FCM8

更新时间： 2024-11-29 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	312K
描述
Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92

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K4R571669D-FCM8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA92,10X18,32
针数：	92	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间：	40 ns	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B92	JESD-609代码：	e0
长度：	15.1 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	92	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA92,10X18,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.08 mm	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9.3 mm
Base Number Matches：	1

™

K4R571669D/K4R881869D

Direct RDRAM

256/288Mbit RDRAM^(D-die)

512K x 16/18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

July 2002

Version 1.4 July 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R571669D-FCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCM9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCS90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCT9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCT90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669E-GCK80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, WBGA-84
K4R571669E-GCM8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA84