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K4R571669A-FCK8

更新时间： 2024-11-29 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	158K
描述
Rambus DRAM, 16MX16, 45ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92

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K4R571669A-FCK8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA92,10X18,32
针数：	92	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B92
JESD-609代码：	e0	长度：	15.1 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	92
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA92,10X18,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.08 mm
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9.3 mm	Base Number Matches：	1

K4R571669A/K4R881869A

Direct RDRAM^™

256/288Mbit RDRAM(A-die)

512K x 16/18bit x 32s banks

Direct RDRAM^TM

Version 1.4

July 2002

Version 1.4 July 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R571669D	SAMSUNG	获取价格	256/288Mbit RDRAM(D-die)
K4R571669D-FCK80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCM8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCM80	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCM9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN10	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCN90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCS90	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
K4R571669D-FCT9	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92