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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 0.15 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 533 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 78 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 组织： | 128MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA78,9X13,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 4,8 |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.185 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B1G0846E-HCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.1ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B1G0846F | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
|
| K4B1G0846F-HCF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B1G0846F-HCF8T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B1G0846F-HCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B1G0846F-HCH9T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B1G0846F-HCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B1G0846F-HCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B1G0846F-HYF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
|
| K4B1G0846F-HYF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78 |
|
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