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K4B1G0846F-HCF8

更新时间： 2024-11-01 21:02:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	1531K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78,

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K4B1G0846F-HCF8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B78
JESD-609代码：	e1	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	端子数量：	78
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
组织：	128MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA78,9X13,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4B1G0846F-HCF8 数据手册

Rev. 1.01, Dec. 2009

K4B1G0446F

K4B1G0846F

1Gb F-die DDR3 SDRAM

78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed

herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.

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