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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA112,11X22,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 0.255 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 667 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B112 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 112 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 组织： | 64MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA112,11X22,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 1.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 8 |
| 子类别： | DRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B1G1646D | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
|
| K4B1G1646D-HCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
|
| K4B1G1646D-HCF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA100 |
|
| K4B1G1646D-HCF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
|
| K4B1G1646D-HCF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA100, ROHS COMPLIANT, FBGA-100 |
|
| K4B1G1646D-HCF8T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 64MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA100 |
|
| K4B1G1646D-HCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
|
| K4B1G1646D-HCH9T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA100 |
|
| K4B1G1646E | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
|
| K4B1G1646E-HCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.2ns, CMOS, PBGA96, |
|
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