5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA96,9X16,32 | 针数： | 96 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.72 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.255 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 667 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B96 | 长度： | 13.3 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 96 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 95 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA96,9X16,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B1G1646G-BCH9T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4B1G1646G-BCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4B1G1646G-BCMA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4B1G1646G-BCMAT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4B1G1646G-BCNB | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4B2G0446B | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
|
| K4B2G0446C | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
|
| K4B2G0446C-HCF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
|
| K4B2G0446C-HCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
|
| K4B2G0446C-HCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
