是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, | 针数: | 78 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.69 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH, ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 | 长度: | 11 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 78 | 字数: | 536870912 words |
字数代码: | 512000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512MX4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 1.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.2825 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.35 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B2G0446C-HYH90 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
K4B2G0446D | SAMSUNG |
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2Gb D-die DDR3L SDRAM | |
K4B2G0446D-HCF80 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCF8T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCH90 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCMA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.195ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HYF8 | SAMSUNG |
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2Gb D-die DDR3L SDRAM |