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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FBGA, BGA78,9X13,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.4 | 最长访问时间： | 0.3 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 533 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 78 |
| 字数： | 536870912 words | 字数代码： | 512000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA78,9X13,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 电源： | 1.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 8 | 最大待机电流： | 0.012 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.105 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B2G0446D-HCF8T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B2G0446D-HCH90 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B2G0446D-HCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B2G0446D-HCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B2G0446D-HCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B2G0446D-HCMA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.195ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B2G0446D-HYF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb D-die DDR3L SDRAM |
|
| K4B2G0446D-HYF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
|
| K4B2G0446D-HYH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb D-die DDR3L SDRAM |
|
| K4B2G0446D-HYH90 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.25ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
|
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