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K4B2G0846C-HYF8

更新时间： 2024-01-14 08:14:45

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	1744K
描述
DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

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K4B2G0846C-HYF8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	78
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH, ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY	JESD-30 代码：	R-PBGA-B78
长度：	11 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	78
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.2825 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.35 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

K4B2G0846C-HYF8 数据手册

Rev. 1.31, Nov. 2010

K4B2G0446C

K4B2G0846C

1.35V

2Gb C-die DDR3L SDRAM

78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

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herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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