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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FBGA, BGA78,9X13,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 最长访问时间： | 0.255 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 667 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 78 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA78,9X13,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 1.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.265 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B2G0846E-MCH90 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, |
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| K4B2G1646B | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
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| K4B2G1646C | SAMSUNG |
获取价格 |
Consumer Memory |
|
| K4B2G1646C-HCF8000 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb C-die DDR3 SDRAM Only x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) |
|
| K4B2G1646C-HCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
128MX16 DDR DRAM, 0.225ns, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
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| K4B2G1646C-HCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4B2G1646C-HCMA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128MX16 DDR DRAM, 0.195ns, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
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| K4B2G1646C-HCMAT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96 |
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| K4B2G1646C-HCNB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128MX16 DDR DRAM, 0.18ns, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
|
| K4B2G1646C-HCNBT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96 |
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