是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FBGA, BGA78,9X13,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 0.3 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 533 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 | 内存密度: | 4294967296 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
端子数量: | 78 | 字数: | 1073741824 words |
字数代码: | 1000000000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1GX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA78,9X13,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源: | 1.35 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 连续突发长度: | 8 |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.145 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 1.35 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B4G0446B | SAMSUNG |
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DDR3 SDRAM Memory | |
K4B4G0446B-HCF80 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 1GX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B4G0446B-HCH9 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 1GX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B4G0446B-HCK0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | |
K4B4G0446B-HCK00 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 1GX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B4G0446B-MCF7 | SAMSUNG |
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DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification | |
K4B4G0446B-MCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, 0.4ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
K4B4G0446B-MCF8 | SAMSUNG |
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DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification | |
K4B4G0446B-MCF80 | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K4B4G0446B-MCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification |