是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA78,9X13,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 4294967296 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
端子数量: | 78 | 字数: | 536870912 words |
字数代码: | 512000000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA78,9X13,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
最大待机电流: | 0.024 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.245 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B4G0846B-MCF8 | SAMSUNG |
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DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification | |
K4B4G0846B-MCF8T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, | |
K4B4G0846B-MCH9 | SAMSUNG |
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DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification | |
K4B4G0846B-MCH9T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, | |
K4B4G0846E | SAMSUNG |
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4Gb E-die DDR3L SDRAM | |
K4B4G0846E-BMK0 | SAMSUNG |
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4Gb E-die DDR3L SDRAM | |
K4B4G0846E-BMMA | SAMSUNG |
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4Gb E-die DDR3L SDRAM | |
K4B4G0846E-BYK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
4Gb E-die DDR3L SDRAM | |
K4B4G0846E-BYMA | SAMSUNG |
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4Gb E-die DDR3L SDRAM | |
K4B4G1646B | SAMSUNG |
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4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16 |