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K4C560838C-TCB

更新时间： 2024-11-01 19:44:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	1311K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-66

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K4C560838C-TCB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.92
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.65 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.324 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.65 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.35 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4C560838C-TCB 数据手册

K4C5608/1638C

256Mb Network-DRAM

Network-DRAM Specification

Version 0.2

- 1 -

REV. 0.2 Jan. 2002

12 3 4 5 6 7...42

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