是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, BGA78,9X13,32 | 针数: | 78 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.69 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 |
长度: | 11.5 mm | 内存密度: | 4294967296 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 78 | 字数: | 1073741824 words |
字数代码: | 1000000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1GX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA78,9X13,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.5 mm |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.024 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.235 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B4G0446B-MCF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification |
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K4B4G0446B-MCF80 | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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K4B4G0446B-MCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification |
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K4B4G0446B-MCH90 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 1GX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
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K4B4G0446B-MCH9T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78, |
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K4B4G0446C | SAMSUNG |
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DDR3 SDRAM Memory |
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K4B4G0446E | SAMSUNG |
获取价格 |
4Gb E-die DDR3L SDRAM |
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K4B4G0446E-BYK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
4Gb E-die DDR3L SDRAM |
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K4B4G0846A-HYH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
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K4B4G0846B | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification |
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