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K4B4G0446B-MCH9

更新时间： 2024-01-04 20:49:21

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

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K4B4G0446B-MCH9 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B78	JESD-609代码：	e3
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	1
端子数量：	78	字数：	1073741824 words
字数代码：	1000000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	1GX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA78,9X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
最大待机电流：	0.024 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4B4G0446B-MCH9 数据手册

K4B4G0446B

K4B4G0846B

DDP 4Gb DDR3 SDRAM

DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

78 FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS Compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

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2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 March 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4B4G0446B-MCH90	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 1GX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B4G0446B-MCH9T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78,
K4B4G0446C	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
K4B4G0446E	SAMSUNG	获取价格	4Gb E-die DDR3L SDRAM
K4B4G0446E-BYK0	SAMSUNG	获取价格	4Gb E-die DDR3L SDRAM
K4B4G0846A-HYH9	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B4G0846B	SAMSUNG	获取价格	DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification
K4B4G0846B-HCH9	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78
K4B4G0846B-HCK0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78
K4B4G0846B-HCK00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 512MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78

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