是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA96,9X16,32 | 针数: | 96 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.52 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.195 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 933 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | 长度: | 13.3 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 96 | 字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA96,9X16,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.012 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.285 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B2G1646C-HCMAT | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96 |
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K4B2G1646C-HCNB0 | SAMSUNG |
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128MX16 DDR DRAM, 0.18ns, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
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K4B2G1646C-HCNBT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96 |
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K4B2G1646C-HIH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
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K4B2G1646F | SAMSUNG |
获取价格 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free |
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K4B2G1646F-BMK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free |
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K4B2G1646F-BMMA | SAMSUNG |
获取价格 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free |
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K4B2G1646F-BYK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free |
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K4B2G1646F-BYMA | SAMSUNG |
获取价格 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free |
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K4B2G1646Q | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb Q-die DDR3L SDRAM Only x16 |
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