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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 78 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH, ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 | 长度： | 12.5 mm |
| 内存密度： | 4294967296 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 78 |
| 字数： | 1073741824 words | 字数代码： | 1000000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 1GX4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.2825 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.35 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B4G0446A-HYF8T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78 |
|
| K4B4G0446B | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
|
| K4B4G0446B-HCF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B4G0446B-HCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B4G0446B-HCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78 |
|
| K4B4G0446B-HCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
|
| K4B4G0446B-MCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification |
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| K4B4G0446B-MCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, 0.4ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
|
| K4B4G0446B-MCF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification |
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| K4B4G0446B-MCF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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