是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA96,9X16,32 | 针数: | 96 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.62 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.225 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 800 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | 长度: | 13.3 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 96 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA96,9X16,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 8 | 最大待机电流: | 0.011 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.219 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B2G1646Q-BCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 | |
K4B2G1646Q-BMH9 | SAMSUNG |
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2Gb Q-die DDR3L SDRAM Only x16 | |
K4B2G1646Q-BMK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb Q-die DDR3L SDRAM Only x16 | |
K4B2G1646Q-BYH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb Q-die DDR3L SDRAM Only x16 | |
K4B2G1646Q-BYK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb Q-die DDR3L SDRAM Only x16 | |
K4B2G1646Q-BYMA | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb Q-die DDR3L SDRAM Only x16 | |
K4B4G0446A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory | |
K4B4G0446A-HYF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | |
K4B4G0446A-HYF8T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78 | |
K4B4G0446B | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |