是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TFBGA, BGA78,9X13,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.255 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY | 最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 11 mm | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 78 |
字数: | 268435456 words | 字数代码: | 256000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA78,9X13,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.35 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 8 | 最大待机电流: | 0.01 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.283 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.35 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B2G0846D-HYK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb D-die DDR3L SDRAM |
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K4B2G0846E | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
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K4B2G0846E-BCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, |
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K4B2G0846E-BYH90 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, |
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K4B2G0846E-BYH9T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, |
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K4B2G0846E-BYK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
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K4B2G0846E-BYK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
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K4B2G0846E-MCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA78, |
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K4B2G0846E-MCF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA78, |
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K4B2G0846E-MCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, |
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