生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, | 针数: | 78 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.56 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.225 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
备用内存宽度: | 8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 |
长度: | 11 mm | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 78 | 字数: | 536870912 words |
字数代码: | 512000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 95 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512MX4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B2G0446D | SAMSUNG |
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2Gb D-die DDR3L SDRAM | |
K4B2G0446D-HCF80 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCF8T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCH90 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCK0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HCMA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.195ns, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446D-HYF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb D-die DDR3L SDRAM | |
K4B2G0446D-HYF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |