是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA96,9X16,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.79 |
最长访问时间: | 0.18 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 1066 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 1 |
端子数量: | 96 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 组织: | 64MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA96,9X16,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
连续突发长度: | 4,8 | 子类别: | DRAMs |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4B2G0446B | SAMSUNG |
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DDR3 SDRAM Memory | |
K4B2G0446C | SAMSUNG |
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DDR3 SDRAM Memory | |
K4B2G0446C-HCF80 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
K4B2G0446C-HCK00 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
K4B2G0446C-HCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, | |
K4B2G0446C-HYF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
K4B2G0446C-HYH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
K4B2G0446C-HYH90 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
K4B2G0446D | SAMSUNG |
获取价格 |
2Gb D-die DDR3L SDRAM | |
K4B2G0446D-HCF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, |