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K4B1G0846G-BCH9

更新时间： 2024-11-01 11:31:59

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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1Gb G-die DDR3 SDRAM

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K4B1G0846G-BCH9 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
最长访问时间：	0.255 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B78	JESD-609代码：	e1
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	78	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	组织：	128MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA78,9X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4B1G0846G-BCH9 数据手册

Rev. 1.01, Nov. 2010

K4B1G0446G

K4B1G0846G

1Gb G-die DDR3 SDRAM

78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4B1G0846G-BCH9000	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0846G-BCK0	SAMSUNG	获取价格	1Gb G-die DDR3 SDRAM
K4B1G0846G-BCK00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B1G0846G-BCK0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846G-BCMA	SAMSUNG	获取价格	1Gb G-die DDR3 SDRAM
K4B1G0846G-BCMA0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B1G0846G-BCMAT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78
K4B1G1646C-CF8	SAMSUNG	获取价格	1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G1646C-ZCF7	SAMSUNG	获取价格	1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
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