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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA78,9X13,32 | 针数： | 78 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.72 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.255 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 667 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 | 长度： | 11 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 78 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 95 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA78,9X13,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.35 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 8 |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.165 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.2825 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.35 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B1G0846F-HYH90 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78 |
|
| K4B1G0846F-HYH9T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78 |
|
| K4B1G0846F-HYK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78 |
|
| K4B1G0846G | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb G-die DDR3 SDRAM |
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| K4B1G0846G-BCF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb G-die DDR3 SDRAM |
|
| K4B1G0846G-BCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb G-die DDR3 SDRAM |
|
| K4B1G0846G-BCH9000 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78 |
|
| K4B1G0846G-BCK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb G-die DDR3 SDRAM |
|
| K4B1G0846G-BCK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
|
| K4B1G0846G-BCK0T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, |
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