Datasheet > K4B1G0846F-HCH9

K4B1G0846F-HCH9

更新时间： 2024-11-01 21:02:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	1531K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4B1G0846F-HCH9 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最长访问时间：	0.255 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B78	JESD-609代码：	e1
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	78	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	组织：	128MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA78,9X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.175 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4B1G0846F-HCH9 数据手册

Rev. 1.01, Dec. 2009

K4B1G0446F

K4B1G0846F

1Gb F-die DDR3 SDRAM

78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed

herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.

This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung

Electronics. No license of any patent, copyright, mask work, trademark or any other intellectual property

right is granted by one party to the other party under this document, by implication, estoppel or other-

wise.

Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or

similar applications where product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any

military or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions

may apply.

For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

All brand names, trademarks and registered trademarks belong to their respective owners.

- 1 -

12 3 4 5 6 7...59

中文翻译

下载PDF

与K4B1G0846F-HCH9相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4B1G0846F-HCH9T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846F-HCK0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846F-HCK0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846F-HYF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B1G0846F-HYF80	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0846F-HYF8T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0846F-HYH9	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B1G0846F-HYH90	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0846F-HYH9T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0846F-HYK00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78

与K4B1G0846F-HCH9相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4B1G0846F-HCH9

K4B1G0846F-HCH9 技术参数

K4B1G0846F-HCH9 数据手册

与K4B1G0846F-HCH9相关器件

与K4B1G0846F-HCH9相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4B1G0846F-HCH9

K4B1G0846F-HCH9 技术参数

K4B1G0846F-HCH9 数据手册

与K4B1G0846F-HCH9相关器件

与K4B1G0846F-HCH9相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？