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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N7328H | RENESAS |
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40A, 100V, 0.085ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE, 2 PIN |
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| JANTXV2N7328R | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| JANTXV2N7329D | RENESAS |
获取价格 |
30A, 100V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAG |
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| JANTXV2N7329H | RENESAS |
获取价格 |
30A, 100V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAG |
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| JANTXV2N7329R | RENESAS |
获取价格 |
30A, 100V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAG |
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| JANTXV2N7330H | RENESAS |
获取价格 |
26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE, TO-204AE, 2 PIN |
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| JANTXV2N7334 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| JANTXV2N7334 | INFINEON |
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100V Quad N-Channel MOSFET in a MO-036AB package - A JANTXV2N7334 with Hermetic Packaging |
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| JANTXV2N7334PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| JANTXV2N7335 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
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