5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-258AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 90 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JANTXV2N7329H | RENESAS | 30A, 100V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAG |
获取价格 |
|
| JANTXV2N7329R | RENESAS | 30A, 100V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAG |
获取价格 |
|
| JANTXV2N7330H | RENESAS | 26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE, TO-204AE, 2 PIN |
获取价格 |
|
| JANTXV2N7334 | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
| JANTXV2N7334 | INFINEON | 100V Quad N-Channel MOSFET in a MO-036AB package - A JANTXV2N7334 with Hermetic Packaging |
获取价格 |
|
| JANTXV2N7334PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
