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Datasheet > 暂无类别数据> JANTXV2N918UB
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JANTXV2N918UB

更新时间： 2024-11-25 12:29:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 186K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N918UB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.19Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDSO-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/301H
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTXV2N918UB 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/301  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N918  
2N918UB  
JANTX  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
15  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
mW  
°C  
Collector-Base Voltage  
30  
3.0  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C (1)  
50  
PT  
200  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
Top & Tstg  
-65 to +200  
TO-72  
2N918  
Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above TA > 25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 3mAdc  
V(BR)CEO  
15  
Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 30Vdc  
µAdc  
ηAdc  
µAdc  
1.0  
10  
1.0  
ICBO  
V
V
CB = 25Vdc  
CB = 25Vdc; TA = +150°C  
3 PIN  
2N918UB  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 3.0Vdc  
VEB = 2.5Vdc  
µAdc  
ηAdc  
IEBO  
10  
10  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 0.5mAdc, VCE = 10Vdc  
10  
20  
20  
10  
IC = 3.0mAdc, VCE = 1.0Vdc  
IC = 10mAdc, VCE = 10Vdc  
hFE  
200  
IC = 3.0mAdc, VCE = 1.0Vdc; TA = -55°C  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10mAdc, IB = 1.0mAdc  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.4  
1.0  
Vdc  
Vdc  
Base-Emitter Voltage  
IC = 10mAdc, IB = 1.0mAdc  
T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)  
Page 1 of 4  
1234

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JANTXV2N918UB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N918UB MICROSEMI

完全替代

 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTXV2N918UB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N930 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18
JANTXV2N930UB ETC

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 		BJT
JANTXV3890A MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3890AR MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3891A MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3891AR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3893AR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3FF05 SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2 P
JANTXV3FF10 SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2
JANTXV3FF15 SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2

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