2N918UB

更新时间： 2024-11-07 07:29:15

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	182K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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2N918UB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-XDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N918UB 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/301

DEVICES

LEVELS

JAN

2N918

2N918UB

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

mAdc

°C

Collector-Base Voltage

3.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C ⁽¹⁾

P_T

200

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op& T_stg

-65 to +200

TO-72

2N918

Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above T_A> 25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 3mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30Vdc

µAdc

ηAdc

µAdc

1.0

I_CBO

_CB= 25Vdc

_CB= 25Vdc; T_A= +150°C

3 PIN

2N918UB

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0Vdc

V_EB= 2.5Vdc

µAdc

ηAdc

I_EBO

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.5mAdc, V_CE= 10Vdc

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc

I_C= 10mAdc, V_CE= 10Vdc

h_FE

200

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc; T_A= -55°C

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.4

1.0

Vdc

Base-Emitter Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)

Page 1 of 4

12 3 4

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2N918UB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N918UB	MICROSEMI	完全替代	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N918UB	MICROSEMI	类似代替	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N918UB	MICROSEMI	功能相似	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

与2N918UB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N918UBJ	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N918UBJS	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N918UBJV	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N918UBJX	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED,
2N919	DIGITRON	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,220MA I(C),TO-18
2N920	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 220MA I(C) \| TO-18
2N921	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-18
2N922	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-18
2N923	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N924	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18

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