5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > JANTXV2N7373
JANTXV2N7373 PDF预览

JANTXV2N7373

更新时间： 2024-02-10 02:32:13
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
14页 83K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANTXV2N7373 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-MSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTXV2N7373 数据手册

 浏览型号JANTXV2N7373的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTXV2N7373的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTXV2N7373的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANTXV2N7373的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANTXV2N7373的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANTXV2N7373的Datasheet PDF文件第7页 
INCH-POUND  
The documentation process conversion  
measures necessary to comply with this  
revision shall be completed by 28 March 1998  
MIL-PRF-19500/613A  
28 December 1997  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/613  
30 July 1993  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER,  
TYPE 2N7373, JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power transistors for use in high-speed power  
switching applications. Four levels of product assurance are provided as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-254AA).  
1.3 Maximum ratings.  
P
1/  
P
2/  
V
V
V
I
C
I
C
T and T  
J STG  
T
T
CBO  
CEO  
EBO  
Type  
T
= +25 C  
T
= +25 C  
C
3/  
A
W
4
W
V dc  
100  
V dc  
8.5  
V dc  
5.0  
A dc  
5.0  
A dc  
10  
C
2N7373  
58  
-65 to +200  
1/ Derate linearly 22.8 mW/ C for TA > +25 C.  
2/ Derate linearly 331 mW/ C for TC > +25 C.  
3/ This value applies for PW 8.3 ms, duty cycle 1%.  
4/ This rating is based on the capability of the transistors to operate safely in the unclamped inductive load energy test circuit of  
figure 1.  
1.4 Primary electrical characteristics.  
h
FE2  
|h  
fe  
|
V
1/  
V
1/  
C
R
R
JC  
BE(SAT)2  
CE(SAT)2  
obo  
JA  
V
= 5.0 V dc  
V
= 5.0 V dc  
I
= 5.0 A dc  
I
= 5.0 A dc  
V
= 10 V dc  
I = 0 A dc  
E
CE  
CE  
C
C
CB  
I
= 2.5 A dc  
I
C
= 500 mA dc  
f = 10 MHz  
I
I
C
B = 500 mA dc  
B = 500 mA dc  
f = 1 MHz  
V dc  
2.2  
V dc  
1.5  
pF  
C/W  
88  
C/W  
3
Min  
70  
7.0  
250  
Max  
200  
1/ Pulse (see 4.5.1).  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this  
document should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad Street,  
Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end  
of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与JANTXV2N7373相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N7434 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
JANTXV2N918 MOTOROLA

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
JANTXV2N918 MICROSEMI

获取价格

 		NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N918UB MICROSEMI

获取价格

 		NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N930 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18
JANTXV2N930UB ETC

获取价格

 		BJT
JANTXV3890A MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3890AR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3891A MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3891AR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

与JANTXV2N7373相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证