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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.7 | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/399 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3996 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N3996 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 |
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| JANTXV2N3997 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 |
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| JANTXV2N3997 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N3998 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N3998 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| JANTXV2N3999 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| JANTXV2N3999 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N4029 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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| JANTXV2N4032 | MOTOROLA |
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1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39, TO-205AD, 3 PIN |
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数据手册解读：MB10S引脚说明、电气参数
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资料解读：TL494CN参数和引脚功能图说明
解读BAT54A数据手册：全面解析产品特性与应用
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