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JANTXV2N3810

更新时间： 2024-12-01 20:11:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	127K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, SIMILAR TO TO-78, 6 PIN

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JANTXV2N3810 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-78
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W6	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.55
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-78	JESD-30 代码：	O-MBCY-W6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/336G	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N3810 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500 /336

DEVICES

LEVELS

2N3810

2N3811

JAN

2N3810L

2N3810U

2N3811L

2N3811U

JANTX

JANTV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

Vdc

mAdc

One

Both

Section ¹

Sections ²

P_T

200

350

°C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C

Operating & Storage Junction Temperature

Range

T_J, T_stg

-65 to +200

TO-78

Note:

1. Derate linearly 1.143mW/°C for T_A> +25°C (one section)

2. Derate linearly 2.00mW/°C for T_A> +25°C (both sections)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

Vdc

I_C= 100μAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50Vdc

ηAdc

μAdc

I_CBO

V_CB= 60Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc

V_EB= 5.0Vdc

ηAdc

μAdc

I_EBO

T4-LDS-0118 Rev. 1 (091095)

Page 1 of 3

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JANTXV2N3810 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N3810	MICROSEMI	完全替代	PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

与JANTXV2N3810相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N3810L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTXV2N3810U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTXV2N3811	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTXV2N3811L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTXV2N3811U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTXV2N3821	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
JANTXV2N3821	SOLITRON	获取价格	N-CHANNEL JFETS - 1
JANTXV2N3822	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
JANTXV2N3822	SOLITRON	获取价格	N-CHANNEL JFETS - 1
JANTXV2N3823	SOLITRON	获取价格	N-CHANNEL JFETS - 1

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