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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.23 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-206AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/375 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3822 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| JANTXV2N3822 | SOLITRON |
获取价格 |
N-CHANNEL JFETS - 1 |
|
| JANTXV2N3823 | SOLITRON |
获取价格 |
N-CHANNEL JFETS - 1 |
|
| JANTXV2N3838 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-89 |
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| JANTXV2N3846 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3847 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3866A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-39 |
|
| JANTXV2N3866AUB | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| JANTXV2N3866UB | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| JANTXV2N3867 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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