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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | MELF | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5804US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JANTXV1N5804US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JANTXV1N5805 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JANTXV1N5805US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JANTXV1N5806 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JANTXV1N5806 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 150 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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| JANTXV1N5806R | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JANTXV1N5806URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JANTXV1N5806US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JANTXV1N5806US | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 150 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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