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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.52 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 6 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/477 |
| 最大反向电流： | 5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5810US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JANTXV1N5811 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JANTXV1N5811 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 150 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 304 PACKAGE. |
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| JANTXV1N5811CBUS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5 |
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| JANTXV1N5811R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JANTXV1N5811US | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JANTXV1N5811US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 150 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE. |
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| JANTXV1N5811US.TR | SENSITRON |
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Rectifier Diode, |
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| JANTXV1N5812 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JANTXV1N5812 | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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