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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-213AB |
| JESD-30 代码： | O-XELF-R2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/586 | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N5819UR-1 | MICROSEMI |
完全替代  |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| JAN1N5819UR-1 | MICROSEMI |
类似代替 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5822 | MICROSEMI |
获取价格 |
3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
|
| JANTXV1N5822.TR | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| JANTXV1N5822US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D |
|
| JANTXV1N5822US | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTXV1N5907 | MICROSEMI |
获取价格 |
1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| JANTXV1N5907 | SENSITRON |
获取价格 |
1500 W Transient Voltage Suppressor |
|
| JANTXV1N5907TR | MICROSEMI |
获取价格 |
1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| JANTXV1N5908 | MICROSEMI |
获取价格 |
1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| JANTXV1N5908TR | MICROSEMI |
获取价格 |
1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| JANTXV1N5968 | MICROSEMI |
获取价格 |
5 WATT GLASS ZENER DIODES |
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