是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.54 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
应用: | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.875 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED | 最大非重复峰值正向电流: | 125 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 6 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500/477 |
最大反向电流: | 5 µA | 最大反向恢复时间: | 0.03 µs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N5809 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS | |
JANTXV1N5809 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 304 PACKAGE. | |
JANTXV1N5809CB | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN | |
JANTXV1N5809R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, | |
JANTXV1N5809URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MEL | |
JANTXV1N5809US | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTXV1N5809US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE. | |
JANTXV1N5810 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS | |
JANTXV1N5810US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, | |
JANTXV1N5811 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |