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JANTXV1N5807US

更新时间： 2024-09-16 20:33:39
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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JANTXV1N5807US 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.2
Is Samacsys：N应用：SUPER FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.875 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/477最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

JANTXV1N5807US 数据手册

 浏览型号JANTXV1N5807US的Datasheet PDF文件第2页 
1N5807US/1N5809US/1N5811US  
Superfast Recovery Diodes  
Surface Mount (US)  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
u Very low reverse recovery time  
u Hermetically sealed non-cavity construction  
u Soft, non-snap, off recovery characteristics  
u Very low forward voltage drop  
VR 50 -150 V  
IF 1N5807US to 1N5811US = 6A  
trr 1N5807US to 1N5811US = 30nS  
IR 1N5807US to 1N5811US = 5µA  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/477  
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.  
They can be supplied fully released as JANTX , JANTXV  
and JANS versions.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Symbol  
VRWM  
VRRM  
IF(AV)  
1N5807US  
1N5809US  
1N5811US  
Units  
Working Reverse Voltage  
Repetitive Reverse Voltage  
50  
50  
100  
100  
150  
150  
V
V
Average Forward Current  
(@ 75°C lead length = 0.375')  
6.0  
25  
A
A
Repetitive Surge Current  
(@ 55°C in free air lead length = 0.375')  
IFRM  
Non-Repetitive Surge Current  
IFSM  
125  
A
(tp = 8.3mS @ Vr & TJMAX  
)
Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +175  
°C  
Average Forward Current Max  
(pcb mounted: TA = 55°C)  
Sine wave  
IF(AV)  
IF(AV)  
1.7  
1.8  
A
A2S  
V
Square wave (d = 0.5)  
I2t for fusing (t = 8.3mS) max  
I2t  
32  
Forward Voltage Drop max  
@ TJ = 25°C  
VF  
0.875 @ 4A  
Reverse Current max  
@ VWRM, TJ = 25°C  
@ VWRM, TJ = 100°C  
IR  
IR  
5.0  
150  
µA  
Reverse Recovery Time max  
(1.0A I to 1.0A IRM recover to 0.25A I  
)
trr  
CJ  
30  
60  
nS  
pF  
F
RM(REC)  
Junction Capacitance typ  
@ VR = 5V f = 1MHz  
Thermal Resistance to end cap  
RqJEC  
6.5  
°C/W  
Revision: May 26, 2006  
1
www.semtech.com  
12

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