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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 35 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 2.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向恢复时间： | 0.025 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5806R | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JANTXV1N5806URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JANTXV1N5806US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JANTXV1N5806US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 150 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JANTXV1N5807 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JANTXV1N5807 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 30 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 304 PACKAGE. |
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| JANTXV1N5807CB | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JANTXV1N5807CBUS | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JANTXV1N5807R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JANTXV1N5807US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF |
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