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JANTXV1N5807US

更新时间: 2024-11-06 13:01:51
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美高森美 - MICROSEMI 二极管超快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

JANTXV1N5807US 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.24Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:125 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向恢复时间:0.03 µs
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANTXV1N5807US 数据手册

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