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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-267AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-267AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/595 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N7236U | INFINEON |
功能相似  |
POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
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| IRFM9140 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| JANS2N7236 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N7237 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| JANTX2N7237D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| JANTX2N7237U | INFINEON |
获取价格 |
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANTX2N7237U with Hermetic Pac |
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| JANTX2N7323D | RENESAS |
获取价格 |
23A, 100V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE |
|
| JANTX2N7323H | RENESAS |
获取价格 |
23A, 100V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE |
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| JANTX2N7324D | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| JANTX2N7324R | RENESAS |
获取价格 |
16A, 200V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE- |
|
| JANTX2N7325H | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| JANTX2N7325R | RENESAS |
获取价格 |
14A, 200V, 0.315ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN |
|
| JANTX2N7328D | RENESAS |
获取价格 |
40A, 100V, 0.085ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE, 2 PIN |
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