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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N7331R | RENESAS |
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19A, 200V, 0.21ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE |
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| JANTX2N7334 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| JANTX2N7334 | INFINEON |
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100V Quad N-Channel MOSFET in a MO-036AB package - A JANTX2N7334 with Hermetic Packaging |
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| JANTX2N7334PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| JANTX2N7335 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
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| JANTX2N7335 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 100V, 1.73ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| JANTX2N7336 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
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| JANTX2N7368 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-254 |
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| JANTX2N7369 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-254 |
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| JANTX2N7370 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
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