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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | IN-LINE, R-CDIP-T14 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-036AB |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T14 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/597 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N7334PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| JANTX2N7335 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
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| JANTX2N7335 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 100V, 1.73ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| JANTX2N7336 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
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| JANTX2N7368 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-254 |
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| JANTX2N7369 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-254 |
|
| JANTX2N7370 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N7371 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N7372 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA |
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| JANTX2N7373 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA |
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