JANTX2N7335

更新时间： 2024-02-16 01:56:50

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)

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JANTX2N7335 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.21	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	0.75 A
最大漏源导通电阻：	1.73 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-036AB	JESD-30 代码：	R-CDIP-T14
元件数量：	4	端子数量：	14
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/599	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTX2N7335 数据手册

PD - 90397G

IRFG9110

JANTX2N7335

JANTXV2N7335

REF:MIL-PRF-19500/599

100V, QUAD P-CHANNEL

HEXFET^®MOSFETTECHNOLOGY

POWER MOSFET

THRU-HOLE (MO-036AB)

Product Summary

Part Number RDS(on) ID

IRFG9110

1.4Ω -0.75A

HEXFET^®MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The

efficient geometry design achieves very low on-state resis-

tance combined with high transconductance. HEXFET tran-

sistors also feature all of the well-established advantages

of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,

ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,

audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually

any application where high reliability is required. The

HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the

need for additional isolating material between the device

and the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

MO-036AB

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Dynamic dv/dt Rating

Light-weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

-0.75

-0.5

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

-3.0

@ T = 25°C

1.4

W/°C

Linear Derating Factor

0.011

±20

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

—

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

—

V/ns

dv/dt

-5.5

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)

1.3 (typical)

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

04/16/02

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N7336	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
JANTX2N7368	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-254
JANTX2N7369	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-254
JANTX2N7370	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N7371	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N7372	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-254AA
JANTX2N7373	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-254AA
JANTX2N7434	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
JANTX2N918	MOTOROLA	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AF
JANTX2N918	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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