是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-7 |
包装说明: | E-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.09 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.2 V | JEDEC-95代码: | DO-7 |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 50 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 最大反向恢复时间: | 0.3 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANS1N5621US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
JANS1N5621US | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
JANS1N5622 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANS1N5622 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS | |
JANS1N5622/TR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, | |
JANS1N5622US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN | |
JANS1N5623 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANS1N5623 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAG | |
JANS1N5623 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS | |
JANS1N5623US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |