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JANS1N5621US

更新时间: 2024-11-06 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JANS1N5621US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.25
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/429J
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

JANS1N5621US 数据手册

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