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JANS1N5622US

更新时间: 2024-09-16 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN

JANS1N5622US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.56
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/427
最大反向恢复时间:2 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANS1N5622US 数据手册

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