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JANS1N5804US

更新时间： 2024-09-16 20:15:23
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管超快速恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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JANS1N5804US 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.23
应用：SUPER FAST SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.875 V
JESD-30 代码：O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流：35 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：2.5 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：3 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/477最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.02 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

JANS1N5804US 数据手册

 浏览型号JANS1N5804US的Datasheet PDF文件第2页 
1N5802US/1N5804US/1N5806US  
Superfast Recovery Diodes  
Surface Mount (US)  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
u Very low reverse recovery time  
u Hermetically sealed non-cavity construction  
u Soft, non-snap, off recovery characteristics  
u Very low forward voltage drop  
VR 50 -150 V  
IF 1N5802US to 1N5806US = 2.5A  
trr 1N5802US to 1N5806US = 25nS  
IR 1N5802US to 1N5806US = 1µA  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/477  
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.  
They can be supplied fully released as JANTX, JANTXV  
and JANS versions.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Symbol  
1N5802US  
1N5804US  
1N5806US  
Units  
Working Reverse Voltage  
Repetitive Reverse Voltage  
VRWM  
VRRM  
50  
50  
100  
100  
150  
150  
V
V
Average Forward Current  
(@ 75°C lead length = 0.375')  
IF(AV)  
2.5  
14  
A
A
Repetitive Surge Current  
(@ 55°C lead length = 0.375')  
IFRM  
Non-Repetitive Surge Current  
IFSM  
35  
A
(tp = 8.3mS @ Vr & T  
)
JMAX  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +175  
°C  
Average Forward Current Max  
(pcb mounted: TA = 55°C)  
Sine wave  
IF(AV)  
IF(AV)  
1.0  
1.1  
A
A2S  
V
Square wave (d = 0.5)  
I2t for fusing (t = 8.3mS) max  
I2t  
10  
Forward Voltage Drop max  
@ TJ = 25°C  
VF  
0.875 @ 1A  
Reverse Current max  
@ VWRM, TJ = 25°C  
@ VWRM, TJ = 100°C  
IR  
IR  
1.0  
50  
µA  
Reverse Recovery Time max  
(1.0A IF to 1.0A IRM recover to 0.25A I  
)
trr  
CJ  
25  
25  
13  
nS  
pF  
RM(REC)  
Junction Capacitance typ  
@ VR = 5V f = 1MHz  
Thermal Resistance to end cap  
RqJEC  
°C/W  
Revision: May 26, 2006  
1
www.semtech.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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JANS1N5806US MICROSEMI

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 		MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP
JANS1N5806US SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANS1N5806US SENSITRON

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