JAN2N3867

更新时间： 2024-11-23 22:51:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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JAN2N3867 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/350	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	600 ns	最大开启时间（吨）：	100 ns
Base Number Matches：	1

JAN2N3867 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 350

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N3867

2N3867S

2N3868

2N3868S

MAXIMUM RATINGS

2N3867 2N3868

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N3867S

2N3868S

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Unit

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.0

3.0

TO-5*

2N3867, 2N3868

Collector Current -- Continuous

Total Power Dissipation

@ T_A= 25⁰C⁽¹⁾

1.0

-55 to +200

⁰C

P_T

@ T_C= 25⁰C⁽²⁾

Operating & Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

T_OP,T_STG

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-39*

(TO-205AD)

2N3867S, 2N3868S

Thermal Resistance, Junction-to-Case

17.5

qJC

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 57.1 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

I_C= 100 mAdc

2N3867, S

2N3868, S

V_(BR)

CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 20 mAdc

2N3867, S

2N3868, S

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

Vdc

V_(BR)

EBO

4.0

Collector-Emitter Cutoff Current

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 40 Vdc

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 60 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 40 Vdc

V_CB= 60 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4 Vdc

mAdc

1.0

2N3867, S

2N3868, S

I_CEX

mAdc

100

2N3867, S

2N3868, S

I_CBO

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N3868	MICROSEMI	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
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JAN2N3879	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N388	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-5
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